Nach dem Halbleiterschutzgesetz (HalbLSchutzG) können dreidimensionale Strukturen von mikroelektronischen Halbleitererzeugnissen (sog. Topographien) geschützt werden, wenn sie Eigenart aufweisen, § 1 HalbLSchutzG. Das Eintragungsverfahren ist ähnlich der Eintragung beim Gebrauchsmusterschutzgesetz, vgl. §§ 7, 8 HalbLSchutzG. Die Schutzdauer beträgt 10 Jahre, § 5 Abs. 2 HalbLSchutzG.
